CXMT, HBM3E 소량 생산 돌입… 27년 양산 목표

미국 반도체 수출 통제 대응 차원의 자국 HBM 밸류체인 구축 착수

중국 최대 D램 제조사 창신메모리(CXMT)가 차세대 고대역폭메모리인 HBM3E 소량 생산에 돌입했다.

본격적인 대규모 양산 시점은 2027년으로 예정된다.

현재 CXMT는 알리바바그룹 산하 핑터우거와 캄브리콘등 자국 내 주요 반도체 팹리스와 퀄테스트 절차를 진행 중이다.

해당 검증 통과 시 내년 출시 예정인 중국산 AI 가속기 및 상용 하드웨어에 CXMT의 HBM 모듈이 탑재된다.

이는 미국의 첨단 반도체 수출 통제 조치에 대응해, 칩 설계부터 메모리 패키징까지 자국 내 독자 밸류체인을 구축하려는 움직임이다.

현재 글로벌 HBM 시장은 SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론 등 3개사가 과점을 형성하고 있다.

통상 HBM3E 칩 생산은 고도의 실리콘관통전극(TSV) 패키징 역량과 미세 공정 기술을 요구한다.

EUV 노광장비 도입이 원천 차단된 샌드박스 제재 환경 하에서 CXMT가 HBM3E 초기 생산에 진입한 것은 중국 반도체 산업의 기술적 진척도를 가늠하는 지표로 작용한다.

사업 포트폴리오 다각화 작업도 병행되고 있다.

CXMT는 샤오미가 하반기 출시할 차세대 폴더블 스마트폰 라인업에 최신 모바일 D램 공급을 추진하며 B2C 모바일 메모리 시장 점유율 확대를 꾀하고 있다.

애플 또한 중국 내수용 기기에 한해 CXMT 칩 탑재를 검토하며 미 상무부와 사전 협의를 진행한 바 있다.

다만 펀더멘털 확장의 핵심 리스크는 지정학적 변수다.

미국 국방부가 CXMT를 '중국 군사 지원 기업' 블랙리스트에 등재함에 따라, CXMT는 자사 칩의 상용 목적을 근거로 미 국방부 대상 연방 소송을 제기하며 법적 대응에 나섰다.

단순한 수입 대체 기조를 넘어 글로벌 시장 벤더 진입을 목표로 하는 CXMT의 성패는 2026-2027년 기간 내 HBM 수율 안정화 및 양산 능력 입증 여부에 달렸다.

향후 양산 수율 확보 지연 시, 자국 내 AI 하드웨어 생태계 전반의 병목 현상으로 이어질 수 있다.